تخفیف 10 درصدی به مناسبت عید کسب درآمد دائم فروش ویژه یونی سلس بلاگ یونی سلس سیستم تبادل لینک یونی سلس

اطلاعیه فروشگاه

1 . بازدید کننده گرامی : درصدی از درآمد یونی سلس صرف امور خیریه میشود و به خیریه تقدیم میگردد پس بیایید همه با هم حامی نیازمندان باشیم ، فروشگاه یونی سلس از کمک شما صمیمانه تشکر میکند ........ 2 . سیستم تبادل لینک هوشمند یونی سلس به صورت کاملا رایگان آماده تبادل لینک با شماست لطفا از طریق بنر و اسلاید شو تعیین شده اقدام نمایید ........... 3 . با توجه به تغییرات ایجاد شده در بانک ملی خرید زیر 5000 تومان توسط کارت بانک ملی امکان پذیر نیست برای خرید های زیر 5000 تومان لطفا از کارت های بانک دیگر استفاده نمایید .......

دانلود پایان نامه تاثير توزيع ناخالصي هاي بستر بر عملكرد تزانزيستور MOSFET با آلايش هاله گون

دانلود پایان نامه تاثير توزيع ناخالصي هاي بستر بر عملكرد تزانزيستور MOSFET با آلايش هاله گون

چكيده


با تغيير مقياس ترانزيستورها براي بهبود عملكرد و كاهش هزينه ساخت، آتار كانال كوتاه مانند پيچش ولتاژ آستانه و اثر DIBL كه قبلا در ترا نزيستورهاي كانال طويل به چشم نمي آمدند ايجاد مي شوند كه موجب اختلال در عملكرد ترانزيستورها مي شوند يكي از روشها براي از بين بردن آثار كانال كوتاه ايجاد آلايش هاله كون و تغيير ناخالصي بستر مي باشد ترانزيستوري با طول كانال موثر 90 نانومتر شبيه سازي شده و منحني هاي Id-Vd و Id-Vg را رسم كرده و با ايجاد آلايش هاله گون و تغيير ناخالصي بستر اثر كانال كوتاه را بهبود مي دهيم

دراين گزارش، در فصل اول به بررسي آثار كانال كوتاه در ترانزيستورهاي تغيير مقياس يافته و بررسي آلايش بستر مي پردازيم در فصل دوم مهندسي كانال را كه شامل ايجاد آلايش SSR و همچنين ايجاد آلايش هاله گون مي باشد، براي كاهش اثرات كانال كوتاه مورد بررسي قرار مي دهيم در فصل سوم تاثير ايجاد آلايش هاله گون تحت انرژي و زواياي مختلف رابر حاملهاي داغ بررسي مي كنيم در اين فصل نشان ميدهيم كه ايجاد آلايش هاله گون با زاويه اي بزرگتر يا انرژي بيشتر باعث بهبود پيچش ولتاژ آستانه ميشود ولي در عين حال اين آلايش باعث ايجاد ميدان الكتريكي بزرگتري در نواحي امتداد يافته سورس و درين ميشود بنابراين اثر حاملهاي داغ در اين نواحي بيشتر ميشود و نشان ميدهيم كه ترانزيستورهاي داراي آلايش هاله گون ايجاد شده با انرژي پايين تر و زاويه بزرگتر نسبت به ترانزيستورهاي داراي آلايش هاله گون ايجاد شده با انرژي بالاتر و زاويه كوچكتر داراي اثر حاملهاي داغ كمتري خواهند بود  در اين فصل نشان مي دهيم كه Ib به تنهايي معيار مناسبي براي نشان دادن اثر حاملهاي داغ در فناوري MOS نيست همچنين تاثير تغيير در ميزان كاشت ناخالصي در آلايش هاله گون و LDD را بر حاملهاي داغ بررسي ميكنيم

در فصل چهارم به شبيه سازي ترانزيستور با آلايش هاله گون توسط نرم افزار GENESISe می پردازیم در اين شبيه سازي ترانزيستور را از تلفيق دو نرم افزار dessis و dios كه جز ئي از نرم افزار GENESISe هستند ايجاد مي كنيم و نتايج شبيه سازي را در ترانزيستورهاي تغيير مقياس يافته با آلايش هاله گون و بدون آلايش هاله گون مقايسه ميكنيم  مي بينيم كه با ايجاد آلايش هاله گون اثر DIBL و پيچش ولتاژ آستانه و همچنين IOFF بهبود مي يابد در فصل پنجم به نتيجه گيري و پيشنهاد براي ادامه پروژه می پردازیم

مقدمه

صنعت ساخت قطعات الكترونيك پيشرفتهاي قابل توجهي از نظر سرعت و قابليت عملكرد و هزينه داشته است اين نتايج ناشي از كوچك نمودن ابعاد ترانزيستور بوده است ولي در عين حال مشكلات زيادي در كاهش مستمر ابعاد ترانزيستور بوجود مي آيد برخي از اين آثار عبارتند از اثرات كانال كوتاه DIBL، پيچش ولتاژ آستانه اين آثار موجب اختلال در عملكرد ترانزيستور مي شوند بنابراين فهم محدوديتهاي تغيير مقياس و راههاي كاهش اثرات كانال كوتاه براي ما اهميت دارد

فصل اول

بررسي تاثير تغيير مقياس بر عملكرد ترانزيستور و نحوه آلايش در بخش هاي مختلف ترانزيستورهاي تغيير مقياس يافته

1-1- تغيير مقياس ترانزيستور و قانون مور

طي سه دهه گذشته، صنعت الكترونيك پيشرفتهاي جالب توجهي داشته است حداكثر سرعت پالس ساعت پردازش مركزي (cpu) از 100 كيلوهرتز در سال 1971 به بيش از 1/4 گيگاهرتز در سال 2000 افزايش يافته است يعني مقدار آن 10 برابر شده است طي همين مدت، هزينه كامپيوترها با افزايش تعداد كامپيوترهاي شخصي كاهش يافته است بهبودهاي قابل ملاحظه اي در نسبت قيمت/ عملكرد داشته ايم كه در تاريخ توليد بشر بي سابقه بوده است اين نتايج ناشي از موفقيت در صنعت نيمه هاديها در كوچك كردن ابعاد ترانزيستور بوده است

طول گيت ترانزيستور از 10 ميكرومتر در سال 1971 به 0/8 ميكرومتر در سال 2000 كاهش يافته است اين امر موجب افزايش سرعت پالس ساعت (با كاهش مسير سيگنال) و همخواني با قانون مور (كه ميگويد تعداد ترانزيستورها در يك مدار يكپارچه هر 18 ماه دوبرابر ميشود) شده است اين امر نه تنها موجب بهبود عملكرد تراشه ميشود بلكه موجب كاهش ميزان ساخت سيليكون مصرفي و كاهش هزينه توليد ميگردد كه آنهم به نوبه خود از تغيير مقياس MOS ناشی می شود

در عين حال، چالش هاي زيادي براي كاهش مستمر ابعاد ترانزيستور وجود دارد مثلا افزايش ميدان الكتريكي و شكست سوراخي و اثر DIBL و غيره از جمله مشكلاتي است كه با تغيير مقياس ايجاد ميشود اين بدان معنا است كه فقط تغيير مقياس ترانزيستور براي بهبود عملكرد ترانزيستور كافي نيست فهم محدوديت هاي تغيير مقياس و نحوة ارتباط آنها به پارامترهاي مختلف ترانزيستور در طراحي ترانزيستورهاي نسلهاي بعدي اهميت دارد

2-1- روش تحقيق

انجام آزمايشهاي فيزيكي در مورد آلايش مستلزم بررسي آلايش چندبعدي و لذا كار دشواري است، همچنين اندازه گيري دقيق پارامترهاي ترانزيستورهاي ساخته شده، و تعيين ميزان دقيق تاثير آلايش بستر بر عملكرد كاري دشوار و مستلزم ساخت ترانزيستور به صورت آزمايشگاهي است شكل 1-1 شمائي از روش بكار رفته در تحقيقات را نشان مي دهد

به جاي آزمايش فيزيكي، شبيه سازيهاي TCAD مورد استفاده قرار مي گيرد براي تعداد زيادي از طراحي ترانزيستورهاي شبيه سازي شده، مولفه هاي مقاومتي، فيزيكي، ولتاژ آستانه و خصوصيات Ion-Ioff براي هر ترانزيستور استخراج شده و مقايسه مي شود و از آنجا حدود تغيير مقياس با توجه به آلايش بستر تعيين مي شود

چند نكته در اينجا قابل ذكر است نخست آنكه استفاده از شبيه سازي هاي TCAD مزایای بسیاری دارد به گونه اي كه پيش بيني نسبتا دقيقي از آلايش بستر و پروفيل آلايش ترانزيستورهاي شبيه سازي شده را قبل از آنكه ساخته شود ممكن مي سازد بعلاوه امكان آنرا بوجود مي آورد كه عملكرد بسياري از ترانزيستورها را با هم مقايسه كنيم تطبيق نتايج حاصله با نتايج تجربي باعث صرفه جويي زيادي در هزينه و زمان طراحي مي شود بعلاوه اين روش شبيه سازي امكان بررسي كميت هاي داخلي ترانزيستور را كه امكان آزمايش آنها عملا وجود ندارد فراهم مي آورد

همچنين ميدانيم يكي از جنبه مهم در طراحي هر ترانزيستور معيارهاي مورد استفاده براي مقايسه ترانزيستورهاي مختلف است چند معيار متداول مثل ولتاژ آستانه و منحني هاي Ion-Ioff باهم مقایسه می شوند

همچنين تاثير مدلهاي قابليت حركت مورد بررسي قرار مي گيرند در اين فصل با فرض آنكه آلايش كانال ترانزيستورها يكنواخت است و نيز اينكه آلايش سورس / درين را ميتوان به صورت ساده با تابع نمائي در جهات افقي و عمودي تعريف كرد، كار را شروع مي كنيم اين مفروضات را مجدداً در بخشهاي بعدي مورد مطالعه قرار مي دهيم اين روش به ما كمك مي كند كه تاثير جنبه هاي مختلف طراحي ترانزيستور بر رفتار آنرا حذف كنيم و به فهم درستي ازمطالعه تاثير آلايش بستر برسيم

تعداد صفحه : 125



فهرست مطالب:

چكيده  1
مقدمه  2
فصل اول: بررسي تاثير تغيير مقياس بر عملكرد ترانزيستور ونحوه آلايش در قسمتهاي مختلف
ترانزيستورهاي تغيير مقياس يافته
1-1 تغيير مقياس ترانزيستور وقانون مور  4
2-1 روش تحقيق  5
3-1 زمينه و سازماندهي  6
4-1 مسائل مهم درطراحي ترانزيستورهاي تغييرمقياس يافته  7
5-1 پارامترهاي موردنياز در طراحي ترانزيستورها و تغيير مقياس آنها   7
1 پارامترهاي كليدي در طراحي ترانزيستورها  8 -5-1
2 تعريف ولتاژ آستانه  9 -5-1
10  MOS 3 تئوري مرتبه اول تغيير مقياس در ترانزيستور -5-1
6-1 اثرات مرتبه دوم در ابعاد زير ميكرون عميق  11
1 اثرات كانال كوتاه  12 -6-1
1-1 تغيير پيچش ولتاژ آستانه به لحاظ اثرات كانال كوتاه  13 -6-1
14  (DIBL) 2-1 كاهش سدپتاسيل القا شده توسط درين -6-1
2 اثرات كانال كوتاه معكوس  16 -6-1
3 مقاومت سورس / درين  18 -6-1
4 اثرات مكانيك كوانتومي  19 -6-1
7-1 طراحي ترانزيستور در رژيم زيرميكرون عميق   24
1 مهندسي كانال  24 -7-1
24  Super Retrograde 1-1 آلايش -7-1
٦
2-1 آلايش هاله گون  25 -7-1
2 مهندسي سورس / درين  27 -7-1
29  ( TCAD) 8-1 طراحي فناوري ساخت قطعات نيمه هادي به كمك كامپيوتر
1-8-1 فرآيند صنعتي طراحي ترانزيستورها  30
31  ( TCAD) 2-8 طراحي ترانزيستور به كمك كامپيوتر -1
33  ( TCAD) 9-1 مشكلات طراحي به كمك كامپيوتر
1 اندازه گيري  34 -9-1
2 مدلهاي فيزيكي  35 -9-1
1-2 مدلهاي فرايند  34 -9-1
2-2 مدلهاي قابليت حركت  35 -9-1
3-2 اثرات مكانيك كوانتومي 37 -9-1
10-1 خلاصه  37
فصل دوم : بررسي مهندسي كانال و آلايش هاله گون در ترانزيستور هاي تغيير مقياس يافته
41  Retrograde 1-2 مهندسي كانال با آلايش
و آلايش يكنواخت در بستر  42 SSRW 2-2 مقايسه آلايش
50  SSRW 3-2 عملكرد ساختاري
4-2 آلايش هاله گون  51
5-2 ساختار و عملكرد آلايش هاله گون  55
فصل سوم : بهينه سازي آلايش هاله گون در سورس و درين
0ميكرون 59 / هاي كوچكتر از 25 MOS 1-3 تاثيرآلايش هاله گون بر روي حاملهاي داغ در
1 حاملهاي داغ  60 -1-3
2 تاثير تغيير زاويه كاشت آلايش هاله گونه بر روي پديده حاملهاي داغ  60 -1-3
3 تاثير تغيير انرژي كاشت آلايش هاله گونه بر روي پديده حاملهاي داغ  67 -1-3
4 تاثير تغيير زاويه و انرژي كاشت آلايش هاله گونه بر روي پديده حاملهاي داغ 71 -1-3
2-3 بررسي تاثير حاملهاي داغ بر عملكرد ترانزيستورهاي داراي آلايش هاله گون با تغيير
و آلايش هاله گون  74 LDD سسس ميزان ناخالصي در آلايش
بر عملكرد يك ترانزيستور  75 halo و ldd 1 بررسي اثر -2-3
٧
بر عملكرد يك ترانزيستور 86 halo و ldd 2 بررسي كلي اثر -2-3
3-3 نتيجه گيري  90
فصل چهارم : بررسي شبيه سازي و نتايج حاصل از آن
با طول موثر كانال 100 ميكرومتر و 90 نانومتر 93 nmos 1 شبيه سازي دو ترانزيستور -4
93  ID-VG و ID-VD 2 مقايسه منحنيهاي -4
فصل پنجم : نتيجه گيري و پيشنهاد براي ادامه پروژه
نتيجه گيري 104
پيشنهادات 105
خذ Ĥ منابع و م
فهرست منابع غير فارسي  106
چكيده انگليسي 

شامل 125 صفحه فایل pdf


اشتراک بگذارید:


پرداخت اینترنتی - دانلود سریع - اطمینان از خرید

پرداخت و دانلود

مبلغ قابل پرداخت 7,200 تومان
(شامل 10% تخفیف)
مبلغ بدون تخفیف: 8,000 تومان
عملیات پرداخت با همکاری بانک انجام می شود

درصورتیکه برای خرید اینترنتی نیاز به راهنمایی دارید اینجا کلیک کنید


فایل هایی که پس از پرداخت می توانید دانلود کنید

نام فایلحجم فایل
amalkard-transistor-pn_370977_5362.zip2 MB





دانلود پایان نامه پيشنهاد قيمت انرژي برق در بازار رقابتي با در نظر گرفتن تلفات سيستم و ظرفيت

دانلود پایان نامه پيشنهاد قيمت انرژي برق در بازار رقابتي با در نظر گرفتن تلفات سيستم و ظرفيت چکیده فلسفه ايجاد بازار برق به تجهيز ساختار اقتصادي صنعت برق برميگردد به اين معني كه انرژي الكتريكي به عنوان يك كالاي قابل داد وستد در يك بازار ارائه شود كه از آن تحت عنوان ” تجديد ساختار در صنعت برق” ياد مي شود. در بسياري از كشورها كه صنعت برق در آنها به شكل تجديد ساختار يافته تبديل گرديده است ، عامل تعيين كننده ميان فروشندگان برق، رقابتي است كه آنها در مورد ميزان عرضه و مبلغ پيشنها ...

توضیحات بیشتر - دانلود 8,000 تومان 7,200 تومان 10% تخفیف

دانلود مقاله پوسیدگی دندان

دانلود مقاله پوسیدگی دندان پوسیدگی دندان نوعی بیماری است. در این بیماری بافت سخت دندان (مینا و سپس عاج) در اثر ترشح اسید از باکتری‌های پوسیدگی زا (عمدتاً استرپتوکوک موتان) مواد معدنی کلسیم و فسفر را ازدست داده و به تدریج از بین می‌روند. پوسیدگی دندان مرحله غیر قابل برگشت در فرایند حل شدن مواد معدنی مینا توسط اسید محسوب شده و درمان آن تنها از راه جایگزینی بافت سخت از دست رفته دندان با مواد ترمیمی دندانپزشکی امکان&z ...

توضیحات بیشتر - دانلود 6,000 تومان 5,400 تومان 10% تخفیف

نظرسنجی

نحوه آشنایی با ما ؟؟

تبلیغات

دانلود پایان نامه و پروژه

tabadol link tabadol link

نرم افزار مورد نیاز


office
firefox
Reader
download
winrar