فروش ویژه سیستم تبادل لینک یونی سلس یونی سلس بلاگ یونی سلس کسب درآمد دائم

اطلاعیه فروشگاه

1 . بازدید کننده گرامی : درصدی از درآمد یونی سلس صرف امور خیریه میشود و به خیریه تقدیم میگردد پس بیایید همه با هم حامی نیازمندان باشیم ، فروشگاه یونی سلس از کمک شما صمیمانه تشکر میکند ........ 2 . سیستم تبادل لینک هوشمند یونی سلس به صورت کاملا رایگان آماده تبادل لینک با شماست لطفا از طریق بنر و اسلاید شو تعیین شده اقدام نمایید ........... 3 . با توجه به تغییرات ایجاد شده در بانک ملی خرید زیر 5000 تومان توسط کارت بانک ملی امکان پذیر نیست برای خرید های زیر 5000 تومان لطفا از کارت های بانک دیگر استفاده نمایید .......

دانلود پایان نامه ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی (TFET ) و بهینه سازی مشخصات آن

دانلود پایان نامه ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی (TFET ) و بهینه سازی مشخصات آن

در این پایان نامه اصول فیزیکی حاکم بر افزاره TFET و همچنین مشخصه های الکتریکی افزاره مورد بررسی قرار گرفته است. در فصل سوم آثار کانال کوتاه افزاره TFET با افزاره MOSFET مقایسه شده است. یکی از چالش های اصلی در TFET، بهینه سازی لحظه ای نسبت Ion/Ioff است. در فصل چهارم کارهایی که تاکنون برای افزایش نسبت Ion/Ioff انجام شده است مورد بررسی قرار می گیرد. در فصل پنجم، چهار ساختار بدیع برای کاهش جریان نشستی افزاره و افزایش نسبت Ion/Ioff ارائه شده است. ساختارهای پیشنهادی با شبیه ساز افزاره DESSIS شبیه سازی شده اند. ساختار اول، TFET تک گیتی با اکسید گیت نامتقارن است که در مقایسه با TFET تک گیتی با اکسید گیت متقارن سرعت کلیدزنی بالایی دارد. ساختار دوم TFET دو گیتی با اکسید گیت نامتقارن است که در مقایسه با TFET تک گیتی با اکسید گیت نامتقارن، جریان حالت روشن دو برابر دارد. ساختار سوم TFET تک گیتی با اکسید Low-k و ساختار چهارم TFET دو گیتی با اکسید low-k است که دارای مشخصات زیر آستانه قابل توجهی نسبت به TFET تک گیتی است.

مقدمه:

با پیشرفت فناوری، ابعاد افزاره MOSFET کاهش یافته و به رژیم نانومتر مقیاس شده است. هدف از مقیاس بندی بیش از حد افزاره ها، دستیابی به مداراتی است که توان مصرفی اندک، سرعت زیاد و چگالی افزاره بالایی دارند. لیکن با کاهش طول گیت آثار کانال کوتاه (SCEs) پدیدار شده و مقیاس بندی افزاره را محدود می کند. آثار کانال کوتاه شامل افزایش جریان نشتی، کاهش سد پتانسیل القاء شده توسط درین (DIBL)، سوراخ شدگی، اشباع سرعت و… است که منشأ تمام آنها افزایش عرض ناحیه تخلیه در طرف درین است. در افزاره های MOSFET، آثار کانال کوتاه برای طول گیت های کمتر از 100nm ظاهر شده و باعث می شود منحنی مشخصه خروجی افزاره (ID-VDS) حتی در ناحیه اشباع به مقدار ثابتی نرسد.

آثار کانال کوتاه موجب کاهش کارآیی افزاره می گردد، لذا نیاز به افزاره های جدید برای مقابله با SCEs روز به روز بیشتر احساس می شود. یکی از افزاره هایی که اخیرا مطرح شده TFET می باشد. این افزاره برای اولین بار توسط “توشیو بابا” در سال 1992 پیشنهاد شد. با پیشرفت فناوری و نیاز به افزاره های با جریان نشتی کم برای کاربردهای توان پایین، TFET مورد توجه قرار گرفته است. تاکنون کارهای متعددی برای بهینه سازی مشخصات TFET صورت گرفته است. این افزاره نسبت به MOSFET، جریان نشت استاتیک کمتری دارد و در مقابل SCEs مقاوم تر است.

فصل اول: کلیات

مقدمه:

ترانزیستور اثر میدان تونلی (TFET) یک دیود p-i-n بایاس معکوس است که پتانسیل ناحیه ذاتی آن توسط گیت کنترل می شود. در این فصل مؤلفه های جریان بایاس معکوس یک پیوند p-n شرح داده می شود. در ادامه با تاریخچه افزاره TFET و چالش اصلی در آن آشنا می شویم و به بررسی کارهای انجام شده برای بهبود مشخصه Ion/Ioff خواهیم پرداخت.

1-1- پیوند p-n تحت شرایط بایاس معکوس

شکل (1-1) یک پیوند p-n را تحت شرایط بایاس معکوس نشان می دهد. با افزایش بایاس معکوس، ممکن است که جریان دیود به طور فزاینده ای افزایش یابد. این پدیده که شکست نامیده می شود ممکن است به لحاظ یکی از سه منشأ زیر به وجود آید. اولین علتی که بررسی خواهیم کرد، سوراخ شدن خوانده می شود.

1-1-1- سوراخ شدن

با افزایش بایاس معکوس، عرض ناحیه تخلیه که بر روی آن پتانسیل افت می کند، افزایش می یابد. وضعیت را در نظر بگیرید که در آن ناحیه ای که آلایش زیادی از نوع p دارد، در مجاورت ناحیه ای که دارای آلایش اندک نوع n است قرار داشته باشد. در این صورت ناحیه تخلیه طرف n بسیار بزرگتر از ناحیه تخلیه طرف p است. در ولتاژ زیاد معینی، ناحیه تخلیه طرف n به اتصال اهمی طرف n خواهد رسید. اگر ولتاژ باز هم افزایش یابد، اتصال رسوخ میدان الکتریکی را احساس خواهد کرد و الکترون در اختیار دیود p-n قرار خواهد داد. در نتیجه دیود اتصال کوتاه می شود و جریان صرفا توسط مقاومت های مدار خارجی محدود می گردد.

2-1-1- یونیزه شدن برخوردی یا شکستن بهمنی

افزایش بایاس معکوس موجب افزایش انرژی حامل ها می شود، در این شرایط الکترونی که خیلی داغ می باشد، از الکترونی که در نوار ظرفیت قرار دارد، از طریق برهم کنش کولمبی پراکنده می شود و آن را به نوار هدایت پرتاب می کند. الکترون اولیه باید انرژی کافی را برای بالا بردن الکترون از نوار ظرفیت به نوار هدایت فراهم آورد. بنابراین انرژی الکترون اولیه باید کمی بزرگتر از شکاف انرژی (که نسبت به کمینه نوار هدایت اندازه گیری می شود) باشد. حال در تراز نهایی، دو الکترون در نوار هدایت و یک حفره در نوار ظرفیت داریم. بنابراین تعداد بارهایی که جریان را حمل می نمایند، تکثیر یافته است. این پدیده اغلب پدیده بهمنی نامیده می شود. توجه داشته باشید که این مسأله برای حفره های داغ نیز ممکن است اتفاق بیفتد و حفره ها نیز می توانند آغازگر پدیده بهمنی باشند.

 

شامل 124 صفحه فایل pdf


اشتراک بگذارید:


پرداخت اینترنتی - دانلود سریع - اطمینان از خرید

پرداخت و دانلود

مبلغ قابل پرداخت 7,000 تومان
عملیات پرداخت با همکاری بانک انجام می شود

درصورتیکه برای خرید اینترنتی نیاز به راهنمایی دارید اینجا کلیک کنید


فایل هایی که پس از پرداخت می توانید دانلود کنید

نام فایلحجم فایل
teranz-asar-meidani_371135_9931.zip1.6 MB





دانلود پایان نامه ترازیستور هایmosfet با سورس و درین شاتکی و کانال کرنش یافته در ابعاد نانو

دانلود پایان نامه ترازیستور هایmosfet  با سورس و درین شاتکی و کانال کرنش یافته در ابعاد نانو افزایش کارایی در ماسفت ها با کوچک کردن ابعاد افزاره حاصل می شود. با وجود مزیت های کوچک سازی، این روش با محدودیت های فیزیکی و اقتصادی روبروست و در نتیجه راه حل های جدیدی پیشنهاد میشود. کاربرد ساختار کرنش دار سیلیسیم . سیلیسیم ژرمانیم در ناحیه کانال ترانزیستور ماسفت، با افزایش قابلیت حرکت حامل ها و در نتیجه افزایش جریان حالت روشنی ترانزیستور، باعث افزایش کارایی حتی در طول کانال های بسیار کوچک می شود ...

توضیحات بیشتر - دانلود 7,000 تومان

دانلود پایان نامه تخمین و پیش بینی مودهای طبیعی استاتور و موتور های سوئیچ رلوکتانس

دانلود پایان نامه تخمین و پیش بینی مودهای طبیعی استاتور و موتور های سوئیچ رلوکتانس موتورهاي سوئيچ رلوكتانسي داراي مزايايي نسبت به ديگر موتورهاي الكتريكي مي باشند كه آنها را به عنوان گزينه مناسبي براي به كارگيري در صنعت به خصوص در مواردي كه شرايط محيطي سخت و دماي بالاي محيط وجود دارد، تبديل كرده است. اما در اين موتورها در اثر تحريك متوالي فازها نيروهاي نامتقارني به پوسته استاتور وارد شده و باعث تحريك متناوب استاتور ميگردد كه منجر به ايجاد سر وصدا ونويز مي شود. تحريك متوالي فازها ...

توضیحات بیشتر - دانلود 7,000 تومان

دانلود جزوه آموزش تعمیر لامپ های کم مصرف

دانلود جزوه آموزش تعمیر لامپ های کم مصرف درآمد ماهيانه دو تا سه ميليون تومان(از همين فردا شروع به کار کنيد!!)واژه ي ( بيکاري ) را براي هميشه از ذهنتان خارج کنيد !!آموزش گام به گام و تصويري تعمير انواع لامپ هاي کم مصرف به صورت فایل word و فیلم آموزشی با کيفيت بسيار بالا به زبان بسیار ساده پرفروش ترين و محبوبترين فايل در فروشگاه تخصصی اینترنتی یونی سلسفايل تصويري آموزش کامل و تضميني تعمير انواع لامپ کم مصرف با تصاوير گام به گام مراحل آموزش ...

توضیحات بیشتر - دانلود 6,000 تومان

نظرسنجی

نحوه آشنایی با ما ؟؟

تبلیغات

دانلود پایان نامه و پروژه

tabadol link tabadol link

نرم افزار مورد نیاز


office
firefox
Reader
download
winrar